STF9N60M2技术参数详情：
STF9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与低至780毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，同时保持了极低的栅极电荷（Qg，最大值10nC）。
这些特性使其成为一个高效的高压开关解决方案。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）为5.5A，最大功率耗散为20W，最高工作结温可达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行与良好的热性能。该MOSFET专为优化开关电源和功率转换系统的效率与可靠性而设计。
- 型号:STF9N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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