STFU10N80K5

STFU10N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至600mΩ的导通电阻（R_DS(on)）相结合，在TO-220FP封装内实现了优异的性能平衡。

其技术参数针对高效率应用进行了优化，包括最大9A的连续漏极电流（I_D）、仅22nC的低栅极电荷（Q_g）以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围。这些特性使其在导通损耗和开关损耗方面表现突出，非常适合用于开关电源、电机驱动和功率转换系统，以提升能效和可靠性。

• 型号:STFU10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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