STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4是意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、20A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件在15V栅极驱动下，饱和压降V_CE(on)最大值仅为2.5V @ 5A，具备低导通损耗特性；同时，其开关能量（55J开，85J关）与快速开关时间（t_d(on)/t_d(off)典型值为17ns/72ns）相结合，有效降低了高频工作时的开关损耗。

其内部集成快速恢复二极管，反向恢复时间仅22ns，简化了电路设计并提升了可靠性。65W的最大功耗能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应严苛的工业环境，成为电机驱动、逆变器和开关电源等应用中高效、紧凑的功率开关解决方案。

• 型号:STGB10NC60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:65 W
• 开关能量:55J（导通），85J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:19 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns
• 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):22 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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