STGB30H60DFB技术参数详情：
STGB30H60DFB是ST意法半导体推出的一款高性能沟槽栅场截止IGBT，采用TO-263-3（DPak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其600V/60A的电压电流等级，结合低至2V（@15V，30A）的饱和压降，确保了在高功率运行下的低导通损耗和高效率。
其开关特性经过优化，具有快速的开关速度（开通/关断延迟典型值37ns/146ns）和较低的总开关能量，同时反向恢复时间仅为53ns，这使其非常适用于高频开关电源和电机驱动等对动态损耗敏感的应用。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则保证了其在恶劣环境下的可靠性与长寿命。
- 型号:STGB30H60DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:383J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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