STGB3NB60FDT4技术参数详情：
STGB3NB60FDT4是ST意法半导体推出的一款600V、6A的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用表面贴装DPAK（TO-263AB）封装。该器件隶属于PowerMESH产品系列，集成了快速恢复二极管，最大功耗为68W。
其核心电气特性包括：在3A电流下典型的低饱和压降（Vce(on)）为2.4V，有助于降低导通损耗；开关能量为125J，反向恢复时间为45ns，提供了良好的开关性能与效率平衡。器件支持高达150°C的结温工作，并具备24A的脉冲电流能力，确保了应用的鲁棒性。
- 型号:STGB3NB60FDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:68 W
- 开关能量:125J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:16 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns
- 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):45 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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