STGE50NC60VD技术参数详情:
STGE50NC60VD是ST意法半导体生产的一款单路IGBT功率模块,采用ISOTOP绝缘封装。其核心电气规格为600V集射极击穿电压和90A最大集电极电流,最大功耗260W,能够在-55°C至150°C的宽结温范围内工作。
该模块的关键优势在于其低导通损耗,在15V栅压、40A电流条件下,饱和压降Vce(on)最大值仅为2.5V,有助于提升系统整体能效。采用标准输入电平驱动和SOT-227-4(miniBLOC)底座安装封装,兼顾了驱动便利性与散热需求,适用于要求高可靠性和紧凑布局的功率转换场合。
- 型号:STGE50NC60VD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 600V 90A 260W ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90 A
- 功率 - 最大值:260 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,40A
- 电流 - 集电极截止(最大值):150 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.55 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 现在可以订购STGE50NC60VD,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。