STGF30M65DF2技术参数详情：
STGF30M65DF2是意法半导体推出的一款650V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其优化的沟槽场截止技术，在650V高压阻断能力下实现了仅2V（@15V，30A）的低饱和压降，显著降低了导通损耗。
同时，其具备优异的动态性能，开关速度快（Td(on/off)典型值31.6ns/115ns），总开关能量低，有助于减少高频应用中的开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达120A的脉冲电流能力，确保了其在工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等严苛功率转换应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:STGF30M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:38 W
- 开关能量:300J（导通），960J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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