STGW28IH125DF技术参数详情：
STGW28IH125DF是ST意法半导体推出的一款有源、高性能IGBT，属于晶体管-IGBT系列。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气参数定位明确，旨在满足高压、高效功率转换的需求。
其关键规格包括1250V的集射极击穿电压和60A的最大集电极电流，提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。在导通特性上，其在15V栅压、25A电流下的最大饱和压降仅为2.5V，有助于降低导通损耗。同时，375W的最大功耗和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，确保了器件在高温环境下的可靠运行与散热设计灵活性。
综合来看，STGW28IH125DF通过优化导通压降、开关能量（720J关断）及栅极电荷（114nC）等参数，在TO-247封装内实现了性能与可靠性的良好平衡，适用于对效率和鲁棒性有较高要求的工业功率应用。
- 型号:STGW28IH125DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 60A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:720J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:114 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/128ns
- 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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