STGWA75H65DFB2技术参数详情：
STGWA75H65DFB2是ST意法半导体推出的一款650V、115A沟槽栅场截止型IGBT单管，隶属于HB2产品系列。该器件采用TO-247-3封装，其设计核心在于优化功率损耗，在75A电流下典型导通压降仅为2V，同时具备较低的开关能量与栅极电荷，实现了导通与开关性能的高效平衡。
其参数指标支持高频、高效率应用，包括225A的脉冲电流能力、高达175°C的结温工作范围以及快速的开关特性。这些特点使其成为要求高功率密度和可靠性的工业电源与电机驱动系统的理想选择。
- 型号:STGWA75H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:115 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A
- 功率 - 最大值:357 W
- 开关能量:1.428mJ（导通），1.05mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:207 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/100ns
- 测试条件:400V，75A，2.2 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):88 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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