STH275N8F7-2AG

STH275N8F7-2AG是意法半导体推出的AEC-Q101认证车规级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。其核心优势在于STripFET F7技术带来的卓越性能平衡，在10V V_GS下导通电阻低至2.1mΩ（@90A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为193nC，有效降低了导通与开关损耗。

该器件额定值为80V V_DSS与180A连续漏极电流（T_C），最大功率耗散达315W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其特别适用于需要高可靠性、高效率及高功率密度的应用场景。

• 型号:STH275N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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