STI25NM60ND

STI25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id），为高压高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至160毫欧，配合仅80nC的栅极电荷（Qg），有效实现了低导通损耗与快速开关特性的平衡。这些参数共同指向高效的能量转换，适用于对能效要求严苛的场合。

此外，器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散能力达160W，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，满足工业级电源与驱动系统的设计要求。

• 型号:STI25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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