STI270N4F3

STI270N4F3是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装和先进的STripFET III技术。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.6mΩ @ 80A, 10V）与优化的栅极电荷（150nC @ 10V），这共同实现了卓越的功率转换效率与快速的开关性能。

该器件额定电压为40V，连续漏极电流高达160A（T_c），最大功率耗散为330W（T_c），并支持-55°C至175°C的宽结温范围。这些参数使其能够稳健地处理大功率负载，同时满足汽车及工业应用中对高可靠性和耐久性的严苛要求。

• 型号:STI270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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