STI5N52U技术参数详情：
STI5N52U是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能UltraFASTmesh产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心规格包括525V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性的结合上。在10V栅极驱动下，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC，配合优化的导通电阻，能够实现快速开关并有效降低开关损耗，提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和70W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STI5N52U
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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