STL105N4LF7AG

STL105N4LF7AG是ST意法半导体基于STripFET F7技术开发的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，其核心参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达105A（T_C）的连续漏极电流（I_D）。

其关键性能优势体现在极低的导通电阻上，在10V V_GS下最大值仅为4.5毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g，最大值23.3nC @ 10V）确保了快速的开关响应。器件采用热增强型PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全符合AEC-Q101标准，满足汽车电子对高可靠性和紧凑设计的严苛要求。

• 型号:STL105N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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