STL13N60M2

STL13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至420毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压大电流应用提供了高效的功率开关解决方案。

其技术亮点还包括极低的栅极电荷（Qg，最大值17nC）和输入电容，这显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作。器件采用节省空间的PowerFlat HV表面贴装封装，最大结温可达150°C，确保了在紧凑设计和严苛热环境下的可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用的理想选择。

• 型号:STL13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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