STW38N65M5

STW38N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心电气规格为650V漏源电压和30A连续漏极电流，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在MDmesh V技术带来的优异性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻低至95毫欧（@15A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷最大值仅为71nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率和功率密度方面表现卓越。

该器件设计坚固，最大结温达150°C，功率耗散能力为190W，确保了在严苛环境下的长期工作可靠性。它主要面向工业电源、电机驱动、光伏逆变器及高端服务器电源等要求高效率与高可靠性的功率转换领域。

• 型号:STW38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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