STL140N4LLF5

STL140N4LLF5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用PowerFlat封装，额定漏源电压为40V，在壳温条件下支持高达140A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.75mΩ @ 10V, 16A）和优化的栅极电荷（最大值45nC @ 4.5V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡。这些特性使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择，广泛应用于DC-DC转换、电机驱动和电源管理等领域。

• 型号:STL140N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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