STL160N4F7技术参数详情：
STL160N4F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够处理高达120A（Tc）的连续漏极电流，并展现出极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧（@10V， 16A），这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。
此外，该MOSFET具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为29nC（@10V），有助于实现高效率的功率转换。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择。
- 型号:STL160N4F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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