STL26N30M8

STL26N30M8是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M8产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于其300V的漏源电压（Vdss）和23A的连续漏极电流（Id）能力，同时实现了极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为89毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

其设计兼顾了开关性能与易用性，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。器件采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，具备良好的散热特性，支持高达114W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和长寿命。

• 型号:STL26N30M8
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:89 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1430 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:114W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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