STL51N3LLH5

STL51N3LLH5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V系列。该器件设计用于30V电压环境，能够处理高达51A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，这共同实现了优异的传导效率和快速的开关性能。

其采用先进的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在提供强大电流处理能力的同时，保持了紧凑的尺寸和出色的散热特性，最大功率耗散可达62.5W。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等高效功率管理应用的理想选择。

• 型号:STL51N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 6.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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