STL70N10F3

STL70N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在100V的漏源电压（Vdss）额定下，可支持高达82A（Tc）的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值在8.4毫欧（@10V， 8A），有效降低了传导损耗。

其采用紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在提供136W（Tc）强大功率处理能力的同时，优化了散热性能和PCB空间占用。器件具备较低的栅极电荷（Qg最大56nC @10V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:STL70N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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