STL75N3LLZH5

STL75N3LLZH5是STMicroelectronics推出的STripFET V系列N沟道功率MOSFET。该器件采用30V漏源电压设计，在25°C壳温下可支持高达75A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，最大值仅为6.1毫欧（@ 10V Vgs），能显著降低功率传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）低至11.8nC（@ 4.5V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源应用。器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为高功率密度和高可靠性设计提供了坚实基础。

• 型号:STL75N3LLZH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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