STO67N60M6技术参数详情：
STO67N60M6是ST意法半导体推出的一款采用TOLL封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高频开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。
它提供600V的漏源电压（Vdss）和34A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在严苛功率环境下的可靠性。关键参数方面，其在10V驱动电压下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为54毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至72.5nC，这共同实现了更低的传导损耗和更快的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。
- 型号:STO67N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TOLL（HV）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 26A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TOLL（HV）
- 封装/外壳:8-PowerSFN
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