STW22NM60N

STW22NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件隶属于MDmesh II产品系列，核心优势在于其600V的漏源电压（V_DSS）和16A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值较低，最大值为220毫欧（@8A），这直接有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）有助于减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中高功率应用的理想选择。

• 型号:STW22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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