STP10NK60ZFP技术参数详情：
STP10NK60ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了600V的高漏源击穿电压与低至0.75欧姆的导通电阻，这使其在高压开关应用中能显著降低传导损耗。
该器件在10V驱动电压下具备10A的连续漏极电流能力，并拥有较低的栅极电荷（70nC典型值），有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和35W的功率耗散能力，确保了在工业电源、电机驱动等严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP10NK60ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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