STP11NM60

STP11NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气参数针对高效功率转换进行了优化。

其650V的漏源电压（Vdss）额定值提供了强大的高压阻断能力，适用于直接由市电整流后高压总线供电的场合。同时，器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，结合仅30nC的典型栅极电荷（Qg），实现了导通损耗与开关损耗之间的优异平衡，有助于提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、PFC及电机控制等应用中理想的功率开关解决方案。

• 型号:STP11NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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