STP15NK50Z技术参数详情：
STP15NK50Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了基础保障。
其技术亮点包括在10V Vgs、7A Id条件下仅340毫欧的低导通电阻（Rds(on)），这能显著降低传导损耗。同时，106nC的典型栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗。器件支持±30V的宽栅极驱动电压，并可在高达150°C的结温下稳定工作，展现出强大的鲁棒性和热性能，适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率转换场景。
- 型号:STP15NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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