STP23NM60N

STP23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至180毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为60nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有助于同时降低传导损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，确保了在苛刻环境下的稳定性和长寿命。

• 型号:STP23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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