STP30NM60N

STP30NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下25A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为130毫欧（@12.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值控制在91nC，这共同实现了低传导损耗与可管理的开关损耗，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和功率转换设备的理想选择。

• 型号:STP30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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