STP45N65M5

STP45N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其650V的高漏源电压（Vdss）与35A（Tc）的连续漏极电流能力，结合低至78毫欧（@ 19.5A, 10V）的导通电阻，为高压大电流应用提供了优异的导通性能与功率处理能力。

其技术参数经过优化，例如91nC（@ 10V）的栅极电荷和3375pF（@ 100V）的输入电容，有助于实现高效的开关操作，降低开关损耗。采用TO-220通孔封装，支持高达210W（Tc）的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，使其成为工业级电源和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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