STU5N62K3技术参数详情：
STU5N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压额定值与1.6欧姆的低导通电阻相结合，并具备低至26nC的栅极电荷，这使其在高压开关应用中能同时实现低导通损耗和高频开关性能。
其4.2A的连续漏极电流能力和70W的功率耗散为中等功率应用提供了充足的余量。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等应用中高效、紧凑的高压开关解决方案的理想选择。
- 型号:STU5N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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