STW48N60M6-4技术参数详情：
STW48N60M6-4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M6系列。该器件采用TO-247-4封装，额定值为600V漏源电压和39A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的高压开关应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的出色结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至69毫欧，能显著降低通态损耗。同时，最大57nC的栅极电荷确保了快速的开关瞬态，有效降低了开关损耗，从而提升系统整体效率并支持更高的工作频率。
- 型号:STW48N60M6-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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