STP60NH2LL

STP60NH2LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达40A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值11mΩ @ 10V, 20A）和较低的栅极电荷（27nC @ 4.5V），这共同实现了出色的传导效率和快速的开关性能。

其24V的漏源电压额定值使其成为低压、大电流应用的理想选择。器件支持宽范围的工作温度（-55°C至175°C），确保了在各种环境条件下的可靠性。这些参数特性使其在需要高效功率切换和控制的场景中，如DC-DC转换、电机驱动及电源管理电路中，能够有效降低损耗并提升系统整体性能。

• 型号:STP60NH2LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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