STP75NF20

STP75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气参数针对高效功率处理进行了优化。

其关键规格包括200V的漏源电压(Vdss)和高达75A的连续漏极电流(Id)，提供了强大的功率处理能力。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、37A Id条件下，Rds(on)最大值仅为34毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，84nC的最大栅极电荷(Qg)有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

这些参数特性使得STP75NF20成为要求高效率和高可靠性的中高功率应用的理想选择，尤其适用于开关电源、电机驱动和各类功率转换系统。

• 型号:STP75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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