STS15N4LLF5

STS15N4LLF5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术和8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的低导通电阻与开关特性平衡，其Rds(on)最大值低至6.7毫欧（@10V，7.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为12.9nC，这有助于在应用中实现高效率与低功耗。

该MOSFET额定参数为漏源电压40V，连续漏极电流15A，并具备较低的栅极阈值电压（Vgs(th) max 1V），便于驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在多种环境条件下的稳定运行。这些特性使其成为空间受限的功率管理解决方案，如DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用的理想选择。

• 型号:STS15N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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