STS30N3LLH6

STS30N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为2.4毫欧，配合30A的连续漏极电流能力，可显著降低功率应用中的传导损耗。

该器件具备优异的开关性能，栅极电荷（Q_g）低至40nC，支持高效的快速开关操作。其30V的漏源电压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于多种中低压、高电流场景。尽管产品状态为停产，但其设计参数仍体现了在高密度电源转换和电机控制应用中对效率与可靠性的追求。

• 型号:STS30N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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