STSJ25NF3LL

STSJ25NF3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，核心优势在于其优异的导通性能与电流处理能力。

其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达25A的连续漏极电流（Id）。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、12.5A电流条件下，Rds(on)最大值仅为10.5毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为33nC，有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适合用于同步整流、电机驱动和各类低压大电流开关电路中，以提升系统整体能效。

• 型号:STSJ25NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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