STU1HN60K3技术参数详情：
STU1HN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与1.2A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8欧姆，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC）和输入电容（Ciss，最大值140pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提高系统效率和工作频率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保障了其在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STU1HN60K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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