STU3N62K3

STU3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源击穿电压与优异的低导通电阻特性（典型值2.5Ω @ 1.4A， 10V），这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗，提升整体能效。

此外，其极低的栅极电荷（13nC）和输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，并简化驱动电路设计。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持高达45W的功率耗散，结合150°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，适用于要求高可靠性的工业级电源与功率转换系统。

• 型号:STU3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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