STU6N62K3

STU6N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）与5.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为设计提供了宽裕的安全工作区间。

其技术亮点在于通过第三代SuperMESH技术实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.2Ω，同时栅极电荷（Q_G）被控制在30nC的低水平。这种特性组合有效降低了传导与开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。该器件支持高达150°C的结温工作，并采用标准通孔封装，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关应用。

• 型号:STU6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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