STW21NM60ND技术参数详情：
STW21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II系列。该器件采用TO-247-3封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至220毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和高功率密度的设计中表现出色。
结合高达150°C的结温工作范围和140W的功率耗散能力，STW21NM60ND为开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用提供了可靠且高效的功率开关解决方案。
- 型号:STW21NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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