STW29NK50Z技术参数详情：
STW29NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和31A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，266nC的栅极电荷（Qg）和350W（Tc）的功率耗散能力，平衡了开关速度与热管理需求，使其适用于对能效和可靠性要求较高的功率开关场景。
- 型号:STW29NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 15.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6110 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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