STW30N80K5技术参数详情：
STW30N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3封装，核心特性包括800V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值180mΩ @ 12A, 10V）与栅极电荷（Qg最大值43nC @ 10V）的优异组合。这一特性源自先进的MDmesh K5技术，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，其250W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STW30N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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