STW45NM50FD技术参数详情：
STW45NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和45A连续漏极电流，具备处理高功率负载的能力。
其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至100毫欧（@22.5A），能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大120nC @10V）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件支持高达417W的功率耗散，工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在苛刻环境下的应用可靠性。
- 型号:STW45NM50FD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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