STW47NM60ND技术参数详情：
STW47NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术开发的N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V/35A的高压大电流处理能力，结合低至88mΩ的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提升系统整体效率。
其技术参数针对高性能开关应用进行了优化，120nC的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗，而±25V的宽栅极电压耐受范围增强了驱动电路的鲁棒性。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品，它具备高可靠性，适用于环境要求严苛的汽车电子及工业电源领域。
- 型号:STW47NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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