STW57N65M5

STW57N65M5是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与低至63毫欧（@21A，10V）的导通电阻的出色结合，这显著降低了功率开关应用中的传导损耗。

其动态性能同样优异，最大栅极电荷仅为98nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。器件额定连续漏极电流为42A（Tc），最大结温达150°C，具备强大的电流处理能力和高温工作稳定性。这些特性使其成为工业电源、太阳能逆变器、电动汽车车载充电及高端消费类电源等高效、高可靠性功率转换设计的理想选择。

• 型号:STW57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW57N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。