STY60NM60技术参数详情：
STY60NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和60A连续漏极电流（Id），采用MAX247通孔封装，专为高功率应用设计。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下典型值仅为55毫欧，配合266nC的低栅极电荷（Qg），实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡。高达560W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最大结温，确保了其在严苛工况下的可靠性与散热性能，是工业电源、电机驱动和逆变器等高压大功率应用的理想选择。
- 型号:STY60NM60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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