STL30P3LLH6

STL30P3LLH6是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于DeepGATE与STripFET VI产品系列。该器件采用先进的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在紧凑的尺寸内集成了30V的漏源电压（Vdss）和高达30A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下最大值仅为30毫欧，配合仅12nC的低栅极电荷（Qg），共同实现了低传导损耗与高效率开关的卓越性能组合。高达175°C的结温（TJ）和75W的功率耗散能力，确保了其在严苛工况下的可靠性。这些特性使其成为空间受限、高效率要求的电源转换和功率开关应用的理想解决方案。

• 型号:STL30P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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