T850H-6I技术参数详情：
T850H-6I是ST意法半导体生产的一款600V、8A RMS三端双向可控硅（TRIAC），采用TO-220AB封装。作为一款“无缓冲器”型器件，它内置了抗浪涌和电压尖峰的保护特性，无需外部缓冲电路即可安全切换感性或容性负载，显著简化了电路设计并提高了可靠性。
其核心优势在于优异的触发灵敏度和强大的电流处理能力。极低的栅极触发要求（Vgt最大1V， Igt最大50mA）使其可直接由微控制器驱动，便于实现智能控制。同时，高达80A/84A的非重复浪涌电流能力和150°C的最大结温，确保了其在恶劣电气环境及宽温度范围内的稳定工作，适用于要求严苛的工业与消费类应用。
- 型号:T850H-6I
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:50 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:75 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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