VNH7013XPTR-E技术参数详情：
VNH7013XPTR-E是ST意法半导体VIPower系列的一款高集成度半桥电机驱动器IC。该器件采用功率MOSFET技术，集成了两个独立的半桥输出通道，每个通道可提供高达40A的连续输出电流，并具备极低的导通电阻（高边5.7mΩ，低边7.3mΩ），有效提升了驱动效率并减少了热损耗。
其设计支持高达72V的工作电压，并能在-40°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在工业与汽车等恶劣环境下的可靠性。芯片内置逻辑接口和超温保护功能，采用散热优化的36-PowerBFSOP表面贴装封装，为驱动直流电机和通用感性负载提供了一个高度集成、坚固耐用的解决方案。
- 型号:VNH7013XPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-36 TP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:4 N 沟道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:36V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 5A，10V，5.7 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，36nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 25V，1836pF @ 25V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
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